根据韩国媒体ZDNET Korea的报导称，韩国三星电子内部已经于第三季度决定调整平泽园区P4产线第一期（Phase 1）的产能分配，即从单纯的生产NAND Flash，调整为生产NAND Flash + DRAM，以应对市场需求变化。
报道称，三星电子这次的产能改变可由该产线的内部代号名称更改中看出来，原本该产线定名为“P4F”，末尾的“F”即指NAND Flash。但如今现在的名称已经更改为“P4H”，“H”是Hybrid混合的简写，显示产线将同时生产NAND Flash和DRAM。
事实上，三星电子平泽园区P4产线第一期现已部分进驻NAND Flash生产设备，三星电子目前计划到年底前将该产线NAND Flash的生产能力提升至每月1万片晶圆。不过，由于市场的不确定性，到2025年中才有可能为V9 QLC NAND先进产品的进一步投资规划。
而在DRAM生产部分，平泽园区P4产线第一期未来预计将具备3~4万片晶圆的月产能，制程方面则是导入三星目前最为先进的10纳米级1a、1b制程技术，以应对竞争对手的产能扩张，并在三星内部其他DRAM产线技术升级之际，持续保持对市场的充足供应。
根据规划，三星的平泽园区P4产线总共包含四期建置计划，其中三期DRAM产线即将开建，至于第二期晶圆代工产线则是在先前的决定中进一步暂缓投资。
编辑：芯智讯-林子
