取得重要突破！独家揭秘京东方新型氧化物半导体显示技术_

随着智慧家庭客厅娱乐、商业赛事直播等需求的增长，超大尺寸、高分辨率及高刷新率的显示屏备受各大厂商的关注，半导体显示性能的提升面临一场革新，其中背板的阵列驱动是核心技术之一。

凭借多年技术积累，京东方已在氧化物半导体显示技术领域取得重要突破，攻克了铜（Cu）易扩散、易氧化和易钻刻等业界难题，在业内率先实现了铜互连堆叠结构的量产，及高刷新率、高分辨率、低功耗氧化物显示技术集成，打破了国外垄断，在行业内持续推出低功耗、超窄边、500Hz+电竞显示屏、超大尺寸 8K Oxide 120Hz、可变频刷新率显示等一系列高端技术和产品。同时在高迁移率30+cm2/Vs 氧化物技术研发方面也有很大突破，为后续高端产品的性能提升奠定了技术基础。

京东方13.3英寸氧化物 Full In Cell UHD超窄边框显示屏

氧化物半导体显示技术具备迁移率高、关态电流低、制程工艺简单、可大尺寸化等优点，能够满足未来产品高品质提升和降低能耗的双重需求，已成为技术和市场发展的必然趋势。然而，在氧化物技术产业化应用上，传统的氧化物薄膜微结构在偏压应力、光照、大电流下器件性能衰减等不稳定性问题，以及铜工艺与氧化物工艺匹配问题，是亟待半导体显示业界解决的普遍难题。

京东方创造性研发出铜扩散阻挡技术，提出独有的氮氧平衡理论、界面修复理论，同时产学研联合，在材料、器件结构和原理上均实现了突破，解决了氧化物半导体显示技术的量产难题，在国内率先实现量产。同时集成栅驱动电路嵌入阵列基板、触控驱动的集成化技术、高透过率的薄膜光学模型等，既实现了产品性能提升，又实现了从传统非晶硅TFT向氧化物导体显示的技术升级。开拓了一条低碳、绿色的产业和产品升级路线。

京东方新型氧化物半导体显示技术的“硬核”创新，主要体现在以下四个方面：

材料及器件新突破

京东方通过设计独有的铜互连叠层布线氧化物新型堆叠结构，攻克了Cu易扩散、易氧化和易钻刻等业界难题。掌握了自主高量产性的Cu缓冲层技术，在业内率先实现铜互连堆叠结构的氧化物量产，并在京东方合肥、重庆、南京、成都等六条量产线实现规模化量产。

独创性的理论新突破

京东方率先提出氮氧平衡理论和界面修复理论，实现了氧化物特性和良率可控。通过氧化物器件中的氮氧缺陷（DNO）控制和有源层界面刻蚀修复技术，解决了由于沟道界面氧空位（Vo）缺陷和掺杂缺陷引起的Vth负偏问题，亮点不良发生率大幅降低。

显示性能全面提升

京东方创新性地提出了栅极驱动电路集成模型，首次使用直流去噪模式，功耗降低15% ，信赖性提升400%，并引入整体复位信号，解决了GOA末行失效问题。在量产产品中首次提出并应用TFT散热设计，GOA寿命提升一倍以上，实现了全尺寸氧化物产品覆盖。

功能集成业内领先

设计高透叠层模型和高透动态补偿柱状隔垫物方案、开发源极驱动信号多路转化技术（MUX）、氧化物触控集成（Oxide Full In Cell）技术和智能同步驱动（Smart Sync Driving）充电补偿方案，实现了高刷新率、高分辨率氧化物显示技术集成，在业内率先实现了110英寸8K 120Hz氧化物GOA量产。