半导体功率器件的领航者，长晶科技五年蝉联十强荣誉__财经头条_

在国内半导体产业中，长晶科技以其卓越的技术创新能力和稳健的市场拓展步伐，成为了中国半导体功率器件领域的领航者。自2019年起，长晶科技连续五年被中国半导体行业协会评为“中国半导体功率器件十强企业”，这一荣誉不仅是对长晶科技过去成绩的肯定，更是对其未来发展的期许。

初露锋芒：封装测试环节的自主可控

时间回溯到2018年11月，长晶科技带着在功率半导体领域积累的技术与资源，选择将总部落户于风景秀丽的南京江北新区产业技术研创园。彼时，长晶科技还只是一家拥有30多名员工、偏设计方向的半导体公司。然而，正是这个看似不起眼的起点，开启了长晶科技“蝶变”的征程。

在国内半导体产业自主创新、国产替代的“黄金期”，长晶科技紧紧抓住机遇，对标国际半导体巨头，积极主动打造全产业链生态。2020年底，公司在浦口经济开发区投资建设长晶浦联封测基地，实现了封装测试环节的自主可控。这一举措不仅提升了长晶科技的生产效率，更为其后续的市场拓展奠定了坚实的基础。

并购扩张：全产业链条的加速成型

2022年，长晶科技又迈出了关键的一步——通过产业并购的方式，完成了晶圆制造工厂收购项目，补齐了功率器件晶圆研发和制造的产业环节。这一举措标志着长晶科技从Fabless（无晶圆厂）模式成功演变到IDM（垂直整合制造工厂）模式，形成了从芯片设计、芯片制造、封装测试到销售的全产业链条。

全产业链条的加速成型，不仅提升了长晶科技的生产效率和产品质量，更增强了其在市场竞争中的韧性和竞争力。如今，长晶科技的产品已经覆盖了消费、工业、汽车、新能源等几大领域，员工数量也增加到了约1700人。公司坚持以半导体关键核心技术的自主可控为己任，通过持续的研发创新和工程技术优化，许多产品从性能和可靠性上都已经达到了国际主流和先进水平。

技术创新：打破垄断，实现国产替代

在长晶科技的发展历程中，技术创新始终是其核心驱动力。公司自主研发的晶圆级封装MOSFET产品，就是技术创新结出的硕果之一。这款产品不仅打破了国外企业的市场垄断，更实现了国内功率器件领域进口产品的规模化替代。

晶圆级封装MOSFET产品的诞生并非一蹴而就。长晶科技通过组建专业化的人才梯队和长达四年的持续研发和应用实践，对芯片和器件相关工艺进行了不断的优化和改善。最终，这款产品在性能上达到了国内领先、国际先进水平，并在高端手机和智能穿戴设备等领域实现了广泛应用。

除了晶圆级封装MOSFET产品外，长晶科技还在IGBT（绝缘栅双极型晶体管）领域取得了显著成果。公司研发并推出的大功率IGBT单管及模块产品，采用国际先进制程，具备高功率密度、低损耗、低开关应力、高可靠性等特点，性能可对标国际品牌第七代产品。目前，这些产品已经在家电、变频伺服、光伏储能、直流充电桩、汽车OBC等行业客户端实现了规模化量产。

展望未来：加速国产化替代，创造世界一流品牌

展望未来，长晶科技将继续秉承创新驱动的发展理念，加大研发投入力度，提升技术实力。同时，公司还将积极拓展国内外市场，加强与产业链上下游企业的合作与交流，共同推动全球半导体产业的发展。