来源：半导体产业纵横
2024 年，DRAM 的收入预计将激增至 980 亿美元，NAND 的收入预计将激增至 680 亿美元。
在经历了一段艰难时期后，受高性能计算和生成式人工智能应用需求的推动，存储器行业预计将在 2025 年实现创纪录的收入。
生成式人工智能的蓬勃发展极大地刺激了数据中心对先进的 DDR5 DRAM 和 HBM 技术的需求，同时也引发了对支持人工智能服务器的企业固态硬盘需求的增长。此外，首批配备设备上生成式人工智能功能的智能手机和个人电脑正在进入市场。这些设备由于大语言模型的尺寸而需要大量内存/存储，必将进一步推动移动和消费细分市场的需求。
目前，存储器行业的复苏速度比之前预期的要快，收入预测显示未来几年将大幅增长。
Yole最新数据显示，2024 年，DRAM 的收入预计将激增至 980 亿美元（同比增长 88%），NAND 的收入预计将激增至 680 亿美元（同比增长 74%）。这些数字预计将继续呈上升趋势，到 2025 年将达到新的峰值水平，DRAM 和 NAND 分别达到 1,370 亿美元和 830 亿美元。在强劲需求（尤其是数据中心的需求）的推动下，预计到 2029 年的长期收入将进一步增长，DRAM 和 NAND 的收入可能分别达到 1,340 亿美元和 930 亿美元，CAGR 2023-2029年预计分别为17% 和16%。
此外HBM需求的激增也推动DRAM需求大幅增长。
HBM属于图形DDR（双倍速率同步动态随机存储器）内存的一种，具有高带宽、高容量、低延时与低功耗等优势。它将多个DDR芯片堆叠在一起，再与GPU封装合成，通过增加带宽、扩展内存容量组成DDR组合阵列，以实现“让更大的模型、更多的参数留在离核心计算更近的地方”，从而减少内存和存储解决方案所带来的延迟。在AI大模型训练推理过程中，HBM可加快数据处理速度，因此更适用于ChatGPT等高性能计算场景。
从技术迭代上看，自2014年全球首款硅通孔HBM产品问世以来，已经从HBM、HBM2、HBM2E，发展至第四代HBM3和第五代HBM3E。数据显示，2023年HBM市场主流产品为HBM2E，NVIDIA A100/A800、AMD MI200以及多数CSPs自研加速芯片皆以此规格设计。为顺应AI加速器芯片需求演进，存储器厂商陆续在2024年推出新产品HBM3E，预计HBM3与HBM3E将成为今年市场主流产品。至于更高规格的HBM4，集邦咨询预计其有望于2026年推出。
随着AI等相关应用需求的激增，HBM市场规模也在大幅增长。据多家咨询机构预测，全球HBM市场将迎来快速发展期。数据显示，全球HBM营收规模到2025年将达到49.76亿美元，较2023年增长148.2%。预计从2024年到2029年，全球HBM市场规模将从25.2亿美元左右激增至79.5亿美元，预测期内复合年增长率高达25.86%。未来，全球HBM内存市场将继续扩大，产能及市场份额也将持续提升。
目前全球HBM市场高度集中，主要由SK海力士、三星电子和美光三家存储大厂主导，2022年其在HBM市场的占有率分别为50%、约40%和约10%。数据显示，2023年SK 海力士市场占有率达53%，而三星电子、美光市场占有率分别为38%及9%。
SK海力士在人工智能存储领域的探索和实践，使其成为HBM技术的先行者。自2014年推出首款HBM产品以来，不断深化对HBM技术的投入，依托于Advanced MR-MUF和HKMG等创新技术，其HBM产品在性能上取得了显著优势，满足了AI领域对高带宽存储的爆炸性需求，从而在全球市场上占据了领先地位。
2024年第一季度，SK海力士成功推出了HBM3e产品，并实现了近80%的良率。目前正在与台积电携手开发更具前瞻性的HBM4技术，并计划在2025年提前推出，以应对市场的快速增长。SK海力士的雄心不止于此，公司已于6月30日宣布，将在2028年前投入高达82万亿韩元用于HBM的研发和生产，这一投资规模预示着其在AI存储领域的深远布局。
此外，SK海力士还计划在印第安纳州西拉斐特投资38.7亿美元建设先进封装工厂，专注于AI存储产品的生产，预计将于2028年投产，这也将是全球战略布局的重要一环。
SK海力士近日宣布，预计明年其高性能内存——HBM的出货量将比今年增长一倍以上。这一消息不仅标志着SK海力士在存储解决方案领域的持续创新，也为未来数据中心存储技术的革新铺平了道路。HBM因其高速传输能力及低延迟特性，在GPU和AI计算领域占据重要地位，成为推动高性能计算和数据中心基础设施发展的关键因素之一。
作为全球存储芯片的领军企业，三星电子在技术创新和市场影响力方面具有不可动摇的地位。虽然在HBM市场的占有率略逊于SK海力士，但三星凭借其独特的技术路径和市场策略，稳居行业第二。
2024年2月，三星推出了业界首款12层HBM3e产品，其性能提升显著，展现在堆叠技术和材料科学上的深厚功底。三星采用的TC-NCF技术，使得新产品在保持高度一致的同时，实现了性能的大幅提升。同时还计划在2026年推出16层HBM4产品，进一步巩固其在高端存储市场的地位。
为了缩小与SK海力士的差距，三星正在进行一系列战略调整，包括优化HBM研发团队和大规模扩张产能。根据规划，2024年的产量将比2023年增长近3倍，而到2026/2028年，这一数字将分别达到13.8倍和23.1倍。
美光科技采取了差异化战略，选择跳过HBM3，直接投入HBM3e的研发。这一策略使得美光在功耗控制上取得了行业领先，其HBM3e产品在2024年第二季度开始供货，为英伟达H200 Tensor Core GPU系统提供了强有力的支持。
AI市场的快速增长为美光带来了丰厚的回报，预计2024年的HBM3e收入将达到数亿美元，2025年将超过十亿美元。美光目前已完成12层HBM3e的样品送测，并计划在2025年实现规模化生产，HBM4产品也将在2026-2027年期间推出。
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