半导体先进工艺竞争持续升温,GAA专利数量快速增长

半导体先进工艺竞争持续升温,GAA专利数量快速增长
2021年07月20日 17:33 半导体投资联盟

图源:BusinessKorea

集微网消息,韩国知识产权局 7 月 18 日宣布,与GAA(Gate-All-Around)技术相关的专利数量正在快速增长。

作为取代 3D FinFET 晶体管以延续摩尔定律的全新技术, GAA 环绕式栅极技术晶体管技术近年来受到广泛关注。

韩国知识产权局表示,“FinFET 相关专利数量在2017年达到峰值1,936,去年下降到1,508。而在此期间,GAA相关专利数量从173件增加到381件。”

目前,台积电占 GAA 相关专利申请的 31.4%,其次是三星电子(20.6%)、IBM(10.2%)和 格芯(5.5%)。

BusinessKorea指出,台积电和三星电子之间的竞争可能会继续升温。三星电子计划从明年开始将 GAA 应用于3nm工艺。台积电最近也宣布,将从 2023 年开始将GAA应用于2nm工艺生产线。(校对/思坦)

财经自媒体联盟

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