集微网消息，据外媒sammobile报道，三星将于6月11~16日的VLSI Symposium 2023活动上，公布其最新的3nm、4nm芯片制造工艺。这一芯片活动将在日本京都举行。
具体看，三星将公布的是第二代3nm SF3工艺、第四代4nm SF4X工艺，这两项技术对该公司十分重要，有助于其吸引更多客户，与台积电竞争。此前三星的4nm工艺效果不佳，表现逊于台积电同代工艺，其制造的Exynos 2200和骁龙8 Gen 1芯片发热较大，受到了市场许多批评。
官方表示，三星最新的SF3工艺是此前SF3E工艺的改进版本，将采用3nm GAP技术。这种工艺使用了GAA栅极全环绕晶体管（英特尔也有类似技术），三星称之为MBCFTE场效应管。
与SF4（4nm EUV LPP）工艺相比，消息称SF3工艺芯片在相同功率下，运行速度提高了22%，或者说在相同频率以及晶体管数量的条件下，效率提高了34%，此外芯片面积也缩小了21%。GAA工艺的优势便是改变纳米片通道的宽度，该技术可以明显提高晶体管密度。
此前有爆料者表示，三星未来的3nm SF3工艺将用于制造Exynos 2500以及高通骁龙8 Gen 4 for Galaxy芯片。
而三星的第四代4nm SF4X工艺，有望用于制造服务器CPU、GPU等，与第二代4nm SF4工艺相比，性能将提升10%，能效有望提升23%。这一工艺将与台积电的N4P（第二代4nm）、N4X（第三代4nm）工艺节点进行竞争。
据外媒AnandTech消息，三星的SF4X工艺将是该公司近年来第一个针对高性能服务器HPC芯片的工艺节点，具有重要意义，这也代表着三星或许已经有了一些意向客户。
（校对/张杰）
