晶体管电路设计 第18课 共射放大电路的阻抗与密勒效应

晶体管电路设计 第18课 共射放大电路的阻抗与密勒效应
2018年02月08日 19:20 爱你雅课

晶体管电路设计 第18课 共射放大电路的阻抗与密勒效应

所谓冲击电流,电源电路上电时会对负载电容进行充电,相当于一个RC充电电路的电阻为零,理论上充电电流为无穷大。即使考虑导线的电阻和电容的ESR,这也是一个很大的冲击电流。网上有不少资料介绍密勒平台控制冲击电流的电路,但大多不满足硬件工程师的应用要求,即没有给出如何根据电流限制值,确定电路中器件参数。

一、什么是密勒效应

以增强型N沟道MOSFET为例介绍。

注:下文图中MOSFET符号是耗尽型,图暂时不做修改了。

情形一

假设N沟道MOSFET的漏源之间存在电容Cds,Cds充满电。

此时在栅极加电压,则Ugs瞬间变为Vg并保持不变;MOS管打开,Cds开始放电,放电电流恒定不变,Uds线性降低,直到为0。

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