尽管这款手机并不是面向发烧级玩家，但是对于普通用户中的游戏爱好者来说，真我GT Neo2T也顾及的很全面，比如游戏空间、闪回键、消息提醒的管理控制以及所属的增量功能都是很好的例子。凭借全新realme UI 2.0的优越性，这块产品获得了资源的优化利用和调整功能，官方将其命名为Hyper Boost 3.0，概况来说就是相比上一代Hyper Boost 2.0更为全面和智能。比如在优化方向上，新的Hyper Boost 3.0融合了包括智能调度策略、统一控制资源、特殊场景优化、低电量场景优化等等，从而在不同的高性能需求场景中获得30%以上的性能利用率。
而为了保障游戏在高负荷状态下流畅度，realme还向游戏厂商开放了温控回调接口，允许程序在CPU温度较高时主动降低对系统资源的需求，所以不掉帧的另一层因素也来源于该技术接口的开放应用。
当然极限性能仅仅是一个点，对于绝大多数用户来说，日常使用往往更希望的是低发热、长续航，这一点realme也进行了优化。比如在存储方面，这款产品采用了性能最高的UFS3.1存储规格，应用和游戏的加载效率不言而喻，而为了能够让常态下存储电量消耗减少，真我GT Neo2T附带了UFS3.1的低功耗模式，能够降低UFS的工作压力和减少对稳压器的唤醒以达到降低功耗的目的。尽管NAND/EMMC本身的能耗并不高，但是对于较为频繁的读写操作来说，这种能耗会因为积累而被放大，所以一天下来节能的效果未必会比降低一个亮度等级要小。
说到能耗和续航，其实这也是该款新机的一个亮点。真我GT Neo2T配备了4500毫安时的大电池，这在同样体量的手机中显然比预期要高许多，借助于AMOLED的低能耗和各项节能细节的调校，整机的续航表现也超出了我们的预期。
更出色的还在于其所配备的高达65W（最大10V/6.5A）的快速充电。真我GT Neo2T这次带来两大全新的智能快速充电算法，分别是VCVT和VFC，两者对应的分别为智能调谐算法和涓流充电优化算法。前者的目的和优势是能够实现快充时无级调整电压和电流，单位精度达到了500mA，从而在很大程度上降低快充时的发热和热损耗；而后者主要面向的是快充的最后一程，也就是90%电量至完全充满阶段，这种算法设计不仅仅能够延长电池寿命，保护电池的充电安全，同时在涓流状态下依然相比先前提升了两倍的速度。
