今天跟大家聊一聊：台积电传来2nm的好消息，但还是落后于老对手，只能“背水一战”了。
面对竞争日益激烈的芯片市场，就算是技术远远领先于同行业的台积电，也没有十足的把握能够持续保持下去，芯片是目前最复杂的工业制造，特别在芯片代工制造上，只有做到第一名才能有稳定的客户来源，第二名只能选择被第一名淘汰的客户，因此三星一直铆足了劲要赶超台积电。
目前三星以及台积电都拥有了制造5nm芯片的能力，但相对而言台积电的工艺，无论在成品率还是性能上都要优于三星，因此苹果、高通、华为等等企业，都会优先选择台积电代工生产芯片，三星只能在底下“捡漏”。
目前台积电占据着全球代工领域的51.5%的市场份额，三星还远达不到这样的状态，目前全球新成立的芯片代工厂越来越多，不能完全融入高端市场，中低端市场的份额也在被不断抢夺，这样的困境让三星异常的难受，唯有实现赶超台积电才能扭转局势。
台积电传来2nm的好消息
在经过技术改良之后，台积电的7nm以及5nm工艺都已经非常的成熟了，现在所有人关心的都是台积电什么时候能突破更高的制程工艺。
就在近期台积电传出了这方面的消息，目前2nm的工艺已经进入到了研发阶段了，在多项技术上已经实现了技术突破，据悉这一次台积电会放弃以往的FinFET晶体结构，采用更为先进的GAA环绕栅极结构晶体管技术。
众所周知目前的芯片制程工艺，已经无限接近于摩尔定律了，采用以前的老技术实现性能的提升难上加难，这也是困扰着台积电多年的问题，而此次采用的GAA环绕栅极结构晶体管技术更加的稳定，也可以更好的对芯片内部进行重新设计和改造，该项技术的优点就在于可以让芯片的面积进一步缩小，从而实现低功耗、高性能的要求。
此前领域内的专业人士，就已经对GAA环绕栅极结构晶体管技术做出了相应的解答，相比于传统的FinFET晶体结构，在替换了新技术之后，在性能上将会提升至少35%，可以在不采用更为先进制程工艺的情况下，实现对于芯片的性能提升，这是应对摩尔定律极限的一种很好的方案。
老对手早已经布局好了
虽然台积电目前的技术领先了，但是在下一个时代的GAA环绕栅极结构晶体管技术领域，这一次台积电却落后了，此前过于自信于自己的FinFET晶体结构，但随着制程工艺的不断提升，也明显感觉到了技术上的劣势，现在也不得不服软。
作为老对手的三星很早之前就已经开始布局GAA技术了，并且还制定了“2030计划”，这个计划的主要内容概括为：“在2030年实现对于台积电的全面赶超，在技术、产能上实现碾压，逆袭成全球最大的芯片代工厂。”
而三星拥有这么足的底气就在于，早在启动3nm制程工艺研发的时候，他们就已经采用了GAA环绕栅极结构晶体管技术，早就放弃了存在明显劣势的FinFET晶体管技术，目前三星已经在该领域取得了众多的技术突破，开始全力突破3nm以及2nm的制程工艺。
台积电已经落后了
早在三月份的时候，三星就亮相了全球首颗3nm的芯片，虽然只是一颗存储芯片，但这颗芯片采用的就是GAA技术，充分证实了之前的猜测，不仅在性能上实现了很大的提升，在功耗上也表现得非常优异，同时解决了采用FinFET晶体管技术打造的5nm芯片的双重难题。
这一次台积电确实落后了，难怪三星拥有谜一般的自信了，鉴于摩尔定律的极限只能到2nm的工艺了，因此2nm的制程工艺，就是台积电和三星最后的比拼了。
但就目前而言三星的优势明显更大，研发2nm的制程工艺需要耗费大量的资金，虽然台积电实力雄厚，但他们唯一的业务就是芯片的代工，三星则就不同了，他们所涉及的领域非常广泛，在综合实力上是台积电难以匹敌的，就算最终研发2纳米的制程工艺失败了，对他们来说也不会造成很大的影响，反之对于台积电来说将会是一个致命的打击。
