量检测设备是半导体制程中的关键设备，是提高产品良率、降低生产成本、推进工艺迭代的保障。多年以来，以美国KLA为首的国际巨头占据我国半导体量检测设备主要市场份额，国产化率极低。随着国际局势的日益严峻，以及国内圆晶厂的产能扩增，量检测设备国产化需求日益旺盛。尤其是先进制程的缺陷检测，占据半导体前道量检测市场比例一半以上。
36氪获悉，近日，图形晶圆光学缺陷检测设备制造商纳诺半导体完成数千万A1轮融资，本轮由水木创投领投，老股东英诺天使基金超额跟投，一苇资本担任独家财务顾问。本轮资金将用于技术研发、产品验证及产线量产扩充。
合肥市纳诺半导体有限公司（以下简称“纳诺半导体”）成立于2021年9月，专注于半导体前道缺陷检测设备研发。创始人朱俊博士博士拥有20多年激光及检测设备产品开发和企业管理经验，曾是KLA的DF（图形晶圆暗场缺陷检测）产品研发负责人，领导团队成功开发了PUMA DF产品。公司成员50余人，超75%为技术人员，他们大多来自中科大、中科院等知名高校院所。
朱俊博士告诉36氪，早在纳诺半导体成立以前，团队就已着手系统设计，后组建公司，技术团队进一步完善，开展全面研发工作，重点聚焦于量检测设备的深度研发和核心零部件国产化。
2023年，纳诺首款暗场检测产品DF70的集成趋向完成，并为客户进行产品验证。据了解，我国暗场缺陷检测领域基本被KLA垄断，定位于图形晶圆暗场检测的DF70，对标KLA Voyager系列，使用深紫外DUV激光，可应用于12英寸先进制程产线，填补了国内厂商在先进制程领域的空白。
DF70
主流半导体制程正从28nm、14nm向10nm、7nm发展，部分国际先进半导体制造厂商已实现5nm工艺的量产并开始3nm工艺的研发。纳诺的DF产品系列未来将不仅可满足7nm节点的产线需求，还可以向下降兼容28nm-10nm节点的产线需求，与KLA PUMA系列竞争，实现图形晶圆暗场检测领域对KLA产品的全面替代。
核心技术层面，纳诺半导体自主开发和储备多种暗场缺陷检测技术，例如深紫外DUV照明光路技术、采集光路技术、PMT成像技术、Memory傅立叶过滤器技术、自动聚焦技术等。过去的两年中纳诺半导体关键技术的聚焦深度研发，部分例如碳化硅气浮平移台、高分辨率深紫外光学聚焦镜头等则与外部研究单位合作，实现关键技术的国产化。
“必须要承认的是Voyager系列是KLA 2018年推出的产品，我们仍旧处于一个追赶的过程。目前，我们在个别零部件上还存在差距，不过追赶的技术路径已非常清晰，预计在2年内，我们就可以达到KLA Voyager产品的技术水平。”
朱俊博士表示，目前国内外不论是人员研发费用，还是材料成本投入，两者差距越来越小。DF70系列的优势在于，在KLA通过软件层面对设备灵敏度进行封锁，国内Voyager基本为阉割版的情势下，DF70系列可提供更加全面的半导体缺陷灵敏度检测，解决客户的后顾之忧。
不可否认，国内半导体前道缺陷检测市场仍处于早期萌芽状态，大多数国内企业对半导体先进制程明场、暗场缺陷检测技术了解还不够，需要一个较长的产品试错、验证过程。具备产品研发经历的团队将在这场马拉松赛跑中，获得抢跑的机会。纳诺半导体的先发优势明显，目标也不仅限于国内市场，而是对标KLA最先进的产品技术向前冲刺。
按照规划，在今年完成DF70产品样片测试后，纳诺半导体将于2024年进入DF70的量产。与此同时，纳诺半导体将快速把产品线延伸到无图形暗场缺陷检测市场，并开启明场缺陷检测设备的研发，最终实现半导体行业先进制程缺陷检测全领域覆盖。
“当初从图形晶圆暗场切入的原因，除了自身技术积累优势外，也有商业的考量。它的技术难度会高于无图形暗场缺陷检测技术，有利于企业建立技术壁垒，且两者间的市场广度接近，完成DF70产品验证后，可以快速实现无图形暗场缺陷检测市场的覆盖。而明场检测与暗场检测两者照明与采集光路技术路线差别很大，且LSP光源技术、TDI CCD技术、和DUV宽光谱物镜技术均被KLA垄断，需要做好长期的规划和打算。”朱俊博士说道。
水木创投投资总监昌锋表示：水木创投专注于硬科技项目的早期投资与科技成果转化，已孵化出多家上市公司和独角兽企业。水木创投的投资着眼于突破核心卡脖子技术，在半导体产业链已有丰富的布局。伴随着工艺的先进化，半导体量检测设备的重要性越发重要。纳诺团队敢于攀登技术高峰，针对先进图形晶圆缺陷检测设备的研发及供应链国产化进展迅速，给我们留下了深刻的印象。期待纳诺不断前进，为半导体产业发展贡献更大的力量。
英诺天使基金管理合伙人周全表示：半导体、新能源、新材料和智能制造是英诺在硬科技方向重点布局领域，其中在半导体领域进行了全产业链布局，几年前就布局了半导体前道设备。纳诺半导体团队拥有丰富和研发背景和研发经验，产品进展迅速，具备稀缺性。作为纳诺天使轮的投资方，我们持续支持纳诺的发展，解决中国半导体设备缺链补链问题。
