知名网络博主“Jim博士”近日连续撰文，指出项立刚对于光刻机基本认知的各种错误，这种错误完全是项立刚自我的幻想，所以完全是文盲水平！
今天，我们继续揭露项立刚的基本错误！
2纳米EUV光刻机
项立刚说“2纳米光刻机”是假概念！
2023年12月25日，项立刚评论英特尔接收第一台2纳米EUV光刻机，他认为这是“假概念”：
1，项立刚相信2纳米不需要2纳米光刻机。
2，ASML没说自己是2纳米光刻机。
3，ASML的2纳米光刻机就是小修改。
ASML有没有说“2纳米”？
2024年1月25日，ASML官网资料，明确地说：
EXE:5000的第一款芯片将是2纳米逻辑芯片！
之后，大量的科技媒体均采用这一个说法。因为本质上，2纳米EUV光刻机就是数值孔径NA0.55的EUV光刻机，为了方便公众表达，采用2纳米EUV光刻机的简单提法，更容易理解。
实际上，在高数值孔径EUV光刻机开发期间，半导体界普遍的提法，都是2纳米节点导入高数值孔径EUV光刻机。
半导体巨头IBM的通稿里，对于高数值孔径EUV光刻机，也采用2纳米节点导入的说法。
“2纳米”光刻机是小修？
2纳米EUV光刻机是ASML在第一代7纳米光刻机的技术技术上，集十年之功开发的全新系统！
2纳米EUV光刻机的最核心的部分--6镜头EUV反射系统的分辨率从13纳米提升到8纳米，为此，不仅最大的反射镜镜头直径从0.6米增加到1米，而且采用了变形光学系统，也就是X方向和Y方向的缩放倍数不一样（在一个方向上将其缩小 4 倍，在另一个方向上缩小 8 倍）！
因此，其整体的系统复杂度和技术难度又上升到一个新的高度！
而第一代7纳米EUV光刻机迭代、升级（也就是项立刚说的“小修”），代号是EXE：4X00系列；第二代2纳米EUV光刻机的迭代、升级代号是EXE：5X00。
下图展示的是7纳米EUV光刻机和2纳米EUV光刻机工作原理的差异：
左侧动图是7纳米EUV光刻机，对于单个曝光单元，它扫描一次就可以；对2纳米EUV光刻机，对于单个曝光单元，它需要扫描2次才能完成。
“2纳米芯片”只是2纳米光刻机的导入节点，不是其终极分辨能力
大概来说，目前3纳米逻辑芯片的金属间距是21-24纳米，而2纳米逻辑芯片的金属间距是18-21纳米；1纳米逻辑芯片的金属间距是15-18纳米。
目前，第一代EUV光刻机分辨率13纳米，也就是金属间距达到26纳米。而2纳米EUV光刻机的单次曝光能力是8纳米，也就是金属间距16纳米，这意味着其单次曝光就可以完成2纳米和1纳米逻辑芯片的金属线。
它的价值将会在10年之后展示出垄断性--这才是它的真正意义！
结语
项立刚凭借中专水平的中文来理解光刻机，自以为天下无敌，实笑柄耳！
我们下期见！
2纳米EUV光刻机镜头
