【锚思科技讯】SK-hynix今天宣布，它已开发出世界上最快的移动DRAM“LPDDR5T（低功耗双数据速率5 Turbo）”，并向客户提供了样品产品。
新产品LPDDR5T的数据速率为每秒9.6Gbps，比2022年11月发布的上一代LPDDR5X快13%。为了突出产品功能的最大速度，SK hynix在标准名称LPDDR5的末尾添加了“Turbo”。
LPDDR：用于移动设备（包括智能手机和平板电脑）的低功耗DRAM，旨在最大限度地降低功耗，并具有低电压操作。LPDDR5X DRAM是第7代产品，继以1、2、3、4、4X和5结尾的系列产品之后。LPDDR5T是SK hynix最新开发的版本，是第8代LPDDR6开发之前第7代（5X）的升级产品。
LPDDR5T工作在JEDEC（联合电子器件工程委员会）设定的1.01至1.12V的超低电压范围内，是一种不仅具有最高速度而且具有超低功耗的产品。
SK hynix表示：“在2022年11月推出具有8.5Gbps规格的移动DRAM LPDDR5X后，该公司在短短两个月内将该技术推向了新的极限。”。“我们将通过提供满足客户需求的各种存储容量的产品，巩固我们在移动DRAM市场的领导地位。”
SK海力士表示，它为客户提供了16GB多芯片封装的样品，该封装将多个LPDDR5T芯片组合成一个封装。打包后的产品每秒可以处理77GB的数据，相当于一秒钟内传输15部FHD（全高清）电影。
SK海力士计划在今年下半年开始使用1nm技术（第四代10nm技术）大规模生产LPDDR5T。
与此同时，SK hynix再次将HKMG（High-K Metal Gate）工艺集成到最新产品中，使新产品能够提供最佳性能，并期望大幅扩大技术差距的LPDDR5T“在下一代LPDDR6开发之前引领市场”
HKMG：下一代工艺，在DRAM晶体管内部的绝缘膜中使用具有高介电常数（K）的材料，以防止漏电流并提高电容。它在提高速度的同时降低了功耗。2022年11月，SK海力士成为业界第一个将该工艺集成到移动DRAM中的公司。
随着5G智能手机市场的进一步扩大，IT行业预计对高级规格存储芯片的需求将不断增加。在这一趋势中，SK hynix预计LPDDR5T的应用将从智能手机扩展到人工智能（AI）、机器学习和增强/虚拟现实（AR/VR）。
SK hynix DRAM产品规划主管Sungsoo Ryu表示：“随着LPDDR5T的发展，公司已经满足了客户对超高性能产品的需求。”。“我们将继续致力于技术开发，引领下一代半导体市场，成为IT世界的游戏规则改变者。”
