首款2nm芯片问世!台积电猝不及防,三星“弯道超车”或成真

首款2nm芯片问世!台积电猝不及防,三星“弯道超车”或成真
2021年05月07日 15:52 新疆人文风物

半导体基于这个时代的重要性已经不言而喻,过去两年中因为华为的遭遇,我们对于芯片有了更清醒的认知,也知道芯片自主迫在眉睫。

当前全球最先进的工艺制程还停留在5nm,三星和台积电则是唯二具有量产能力的芯片制造商,但相比之下,台积电在良率以及工艺稳定性等方面还是优于三星。

二者不仅在5nm订单上展开了正面竞争,还在成熟工艺和先进制程等多个方面展开较量,但占据全球一半以上市场份额的台积电,在三星面前就像无法逾越的大山,要想成功登顶,就只有通过先进工艺制程完成“弯道超车”。

三星发布首款3nm

5nm之后,3nm便将登上历史舞台,受制于“全球芯荒”等各个因素的影响,先进工艺迭代的速度明显放缓,但双方依旧在抢滩占点。

在3月份,三星就对外公布了首款3nm芯片,为了在速度上占优,三星冒险采用了全新的GAA技术,这项技术最大的问题就是有可能影响量产的良率,并且如果短时间内无法提升茶能,三星的3nm生产线大概率会出现亏损。

所以我们能看到,三星虽然首发了3nm芯片,但在没有量产之前,妄谈“弯道超车”是不实际的,更致命的是,采用传统FinFET工艺的台积电传出了新消息。

消息显示,台积电已经在3nm的研发上超过了预期,在今年的下半年就能进入风险试产阶段,并且如果进展顺利,那么在2022年的上半年就能实现3nm工艺的量产工作。

值得一提的是,不仅在3nm竞争中占据了上风,台积电还宣布自己在2nm工艺研发上取得了阶段性成果,难道说三星的“十年超车计划”就要“胎死腹中”了吗?

“蓝色巨人”神助攻

当台积电重申自己的2nm制程工艺将会在2023年进行风险试产的时候,让它猝不及防的是,“蓝色巨人”IBM在5月6日发表了全球首个2nm制程芯片。

据IBM官方表示,其将500亿左右的电晶体管容纳在了指甲盖大小(150mm)的芯片上,并且这款问世的2nm芯片相较7nm芯片,能够在能耗降低75%的同时提升45%的性能。

但要知道的是,虽然IBM带来了全球首款2nm芯片,但并不意味着它能够实现量产,因为这项技术还涉及到很多其它的方面,并且IBM自己也没有10nm以下的晶圆厂。

据相关消息称,这个制造的重任很有可能交给三星,二者或许会联手共同挑战台积电“全球一哥”的地位,毕竟早在去年8月,三星就已经生产了IBM最先进的7nm芯片。

“弯道超车”或成真

虽然IBM官方人员也表示,技术首发并不意味着量产,而且制造技术可能还需要几年才能真正上市,但我们还是能憧憬三星对台积电再度发起挑战。

毕竟此次IBM发布的这款2nm芯片技术,不同于此前三星自己3nm芯片采用的GAA技术,这个芯片的密度达到了333MTr/mm,运用的是GAA技术中的纳米片结构。

3nm不成那就2nm,我们能够看到三星在先进工艺制程上的“不断加码”,或许有一天“弯道超车”真能成真,你觉得呢?

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