前段时间,大家都被一则消息刷屏了,那就是国产光刻机有了进步,国家权威机构公布了一台氟化氩光刻机,光源是193nm,分辨率≤65nm,套刻精度≤8nm。
特别是其中标注的套刻精度≤8nm,引发了众多人的猜测,有人说是可以支持到8nm,有人说是可以支持到28nm,也有人说实际上是65nm,这些说法,谁也不服谁。
当然,具体能支持多少纳米,谁也不清楚,也不会告诉大家的,你认为是几纳米就几纳米吧,不会有绝对的权威的答案的。
不过,可以确定的是,这还是一台干式DUV光刻机,采用的是193nm波长的光源,并没有跨进浸润式DUV光刻机的行列,这个是最核心的地方。
当然,看这台光刻机成色如何,最好的办法,还是和行业标杆ASML去对比一下,大致就会明白这是什么水平了。
从光源、分辨率、套刻精度这三个指标,基本上可以确定,它与ASML旗下的TWINSCAN XT:1460K应该是最为接近,1460K光刻机,其照明波长为193mm,分辨率≤65nm,不过在套刻精度上,1460K是≤5nm,实际上ASML的这一台相对还更先进一些。
按照ASML在官网上的说法,这台光刻机,最高能制造57nm工艺的芯片,当然这个工艺是没有采用多重曝光之下的,是直接光刻精度。
可见如果拿这台国产的氟化氩光刻机来对比,应该最多也就是TWINSCAN XT:1460K的水平,这个大家应该没有疑问吧。
至于最高能生产多少纳米的芯片,我觉得大家应该心里有数了,在直接光刻的普通情况下,大致也就是和ASML的差不多吧,也就是57nm左右。当然经过多重曝光后,可能会好一点,但推测应该是达不到28nn的。
而TWINSCAN XT:1460K是ASML于2015年推出的,我们的国产光刻机,达到了2015年ASML的水平,是不是意味着我们落后ASML只有10年?
2015年的产品
其实,不能这么直接来看,事实上在2003年时,ASML就推出了第一台浸没式光刻机TWINSCAN XT:1250i,这台机器就可以直接制造32-28nm的芯片了。
然后ASML大约以2年一代的速度对浸润式DUV光刻机进行迭代,不断的提高套刻精度,提高NA,以及提高工作台的精度等,最终让浸润式DUV光刻机,支持到了14nm、7nm……
所以,从这一点来看的话,其实我们落后ASML起码20年,因为20年前的ASML,已经有了浸润式光刻机,对方一边在生产浸润式,也一边在生产干式光刻机,而我们呢,还在干式光刻机上努力,浸润式还没有实现。
所以说,大家先别这么高兴,这台光刻机虽然也是一个进步,但实际上路还很漫长,我们的提升空间还非常大,还远不到兴奋的时候,加油吧。
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