（记者 陈洲）据中关村在线相关报道称，芯动科技于11日宣布，已完成全球首个基于中芯国际FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试，所有IP全自主国产，功能一次性测试通过。
另据IT之家10月12日的消息称，据悉，N+1工艺在功率和稳定性方面与7nm工艺非常相似，且不需要EUV光刻机。该工艺和14nm相比，性能提升20%，但是，与更先进的7nm相比，还有部分差距。
以上消息一出，确实振奋人心，但是中芯国际的工艺其实并不是不需要光刻机，而是可以避开荷兰ASML公司EUV光刻机的技术封锁。N+1工艺的实现，正式宣布“国产版”7nm芯片制造技术完成突破。
中芯国际N+1工艺的芯片流片成功
近日，中关村在线、IT之家等网站均报道了关于中国一站式IP和定制芯片企业芯动科技已完成了全球首个基于中芯国际N+1先进工艺的芯片流片和测试一事。
中芯国际联合CEO梁孟松今年初曾透露，N+1工艺在功率和稳定性方面与7nm工艺非常相似，且不需要EUV光刻机。据悉，该工艺和14nm相比，性能提升20%，功耗降低57%；但是，与更先进的7nm所能提升的35%性能相比，还有进步空间。
《珠海特区报》11日刊文——《“国产芯”突围刻不容缓》，文中提到：芯动科技首个基于中芯国际先进工艺的芯片流片和测试成功，不仅意味着具有自主知识产权的“中国芯”打破了国外垄断，同时也说明“国产版”7nm相近制程的芯片制造技术已经得到突破。
这次的突破意义非同小可，整套工艺均采用全国产设备和技术完成，是破除国外技术封锁的一次跨越式发展。
中国厂商强强联手共同突破难关
提到芯动科技，也许部分人感到比较陌生，它的名气不如中芯国际那么响彻。芯动科技有限公司成立于2006年，是一家高端混合电路芯片设计公司，拥有自主全系列高带宽高性能计算IP技术，曾多次在芯片先进工艺上填补国内空白。
自 2019 年始，芯动科技在中芯国际N+1工艺尚待成熟的情况下，投入数千万元设计优化，率先完成了NTO流片。基于N+1制程的首款芯片经过数月多轮测试迭代，近日终于助力中芯国际突破了N+1工艺良率瓶颈。
据相关媒体报道，2020年，芯动科技还推出了中国标准的INNOLINK Chiplet高性能计算平台(CPU/GPU/NPU)，在各FinFET先进工艺上定制多款芯片，全部一次成功上量。
打造“中国芯”的未来，不正是需要中芯国际和芯动科技这类国内厂商强强联手，共同发展，共同突破技术难关吗？
N+1工艺下真的可以告别光刻机吗
需要说明的是，中芯国际联合CEO梁孟松曾透露，N+1的工艺是不需要EUV光刻机来完成的，这里单指不需要荷兰ASML公司的EUV光刻机，并非完全不需要光刻机。也就是说，可以用其他光刻机来完成这项工艺，并且达到EUV光刻机打造的7nm芯片相近的性能。
其实，据部分资料显示，台积电的7nm工艺也并非都有用到EUV光刻工艺。这里要提到台积电三次技术迭代，分别是：低功耗的N7、高性能的N7P、EUV工艺的N7+。N7和N7P都不需要使用EUV光刻机，只有在N7+之后才会转向EUV光刻工艺。也就是说，台积电只有到生产出如高通骁龙865、A14、麒麟990 5G等高端芯片阶段，才采用了7nm EUV的光刻工艺。所以，即使没有EUV光刻机，中芯国际同样可以进入7nm芯片的时代。
以目前中芯国际的工艺技术命名来分析，N+1、N+2与台积电的N7和N7P的工艺是类似的，这些都不需要EUV光刻机来完成，只有到N+2之后才会转向使用EUV光刻工艺。到时是通过国内光刻机厂商性能技术突破来实现？还是中芯国际在加工工艺上再次另开新路？这就看厂商和科学家们的研发进度了。
篇末，再来一则好消息，据集微网13日报道，位于烟台恒邦化工产业园的恒邦高纯新材料项目即将进入带料试车阶段，年底，纯度达到7.5个9的高纯砷产品问世后，将打破中国高端半导体原材料长期由发达国家垄断的市场格局。
因此，与其幻想着告别光刻机时代，不如脚踏实地加强国内厂商的通力合作，加快技术和材料领域的突破，只有这样，国产芯片才能迈入国际高端行列。
